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Nr. Titel Autor Jahr
1 Investigation of the IGBT’s and Diode’s Ruggedness Under Short-Circuit Type III Conditions Well Beyond the SOA Mysore, Madhu Lakshman* et al. 2023
2 Study of Different Parameters Influencing the IGBT and Diode Robustness Under Short-Circuit Type III Conditions Mysore, Madhu Lakshman* et al. 2023
3 Surge-Current capability of the different voltage class IGBTs Mysore, Madhu Lakshman et al. 2023
4 Investigation of the Short Circuit Type II Safe Operating Area of IGBTs Mysore, Madhu Lakshman et al. 2022
5 Aluminium modification as indicator for current filaments under repetitive short-circuit in 650 V IGBTs Mysore, Madhu Lakshman et al. 2021
6 Study of 6.5 kV injection enhanced floating emitter (IEFE) IGBT switching behavior and its improved short-circuit robustness Mysore, Madhu Lakshman et al. 2021
7 A High-Voltage Transients Suppressor Diode Beninger-Bina, Markus et al. 2020
8 Current filament behavior in IGBTs of different voltage classes investigated by measurements and simulations Bhojani, Riteshkumar et al. 2020
9 GRABENSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN Basler, Thomas et al. 2020
10 HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER KLEMMSTRUKTUR Voss, Stephan et al. 2020
11 Leistungshalbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilität und Verfahren zur Herstellung derselben Lutz, Josef et al. 2020
12 Leistungsschaltmodule mit verringerter Oszillation und Verfahren zur Herstellung eines Leistungsschaltmoduls Schulze, Hans-Joachim et al. 2020
13 SILIZIUMCARBID-HALBLEITERBAUELEMENT Basler, Thomas et al. 2020
14 Siliziumkarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumkarbid-Bauelementen Basler, Thomas et al. 2020
15 TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER STROMFESTIGKEIT Bhojani, Riteshkumar et al. 2020
16 Wide bandgap semiconductor device and a method for forming a wide bamdgap semiconductor device Lutz, Josef et al. 2020
17 Al modification as indicator of current filaments in IGBTs under repetitive SC operation Mysore, Madhu Lakshman et al. 2019
18 Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements mit breitem Bandabstand Lutz, Josef et al. 2019
19 Investigation of repetitive short-circuit operation of 1200 V IGBTs in the IC-VCEphase space Bhojani, Riteshkumar* et al. 2019
20 Transistor device with high current robustness Bhojani, Riteshkumar et al. 2019
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