Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Basler, Thomas ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies AG
SILIZIUMCARBID-HALBLEITERBAUELEMENT
SIC Semiconductor Device
Kurzfassung
Halbleiterbauelement, das aufweist:eine Feldeffekttransistorstruktur in einem SiC Halbleiterkörper mit einer Gatestruktur an einer ersten Oberfläche des SiC Halbleiterkörpers und einer Driftzone von einem ersten Leitfähigkeitstyp;ein Halbleitergebiet von einem zweiten Leitfähigkeitstyp;eine Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp, die in einervertikalen Richtung zwischen dem Halbleitergebiet und der Driftzone ausgebildet ist, wobeidie Zone von der Gatestruktur beabstandet ist und vondem Halbleitergebiet in der vertikalen Richtungmaximal 1 µm entfernt ist.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102018103973B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 03.12.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/78 |
