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Universitätsbibliographie | Universitätsbibliothek | TU Chemnitz

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Nr.	Titel	Autor	Jahr
1	SILIZIUMCARBID-HALBLEITERBAUELEMENT	Basler, Thomas et al.	2020
2	Bipolares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode	Lutz, Josef et al.	2018
3	A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability	Siemieniec, Ralf* et al.	2017
4	Performance and ruggedness of 1200V SiC — Trench — MOSFET	Peters, Dethard* et al.	2017
5	The New CoolSiC(TM)Trench MOSFET Technology for Low Gate Oxide Stress and High Performance	Peters, Dethard* et al.	2017
6	Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements mit einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone und Leistungsbauelement	Lutz, Josef et al.	2014
7	A bipolar semiconductor component with a fully depletable channel zone	Baburske, Roman et al.	2013
8	Surge-Current Resistant Semiconductor Diode with Soft Recovery Behaviour and Methods for Producing a Semiconductor Diode	Baburske, Roman et al.	2013
9	Stoßstromfeste Halbleiterdiode mit weichem Abschaltverhalten und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode	Baburske, Roman et al.	2012
10	Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement	Schulze, Hans-Joachim et al.	2012
11	SEMICONDUCTOR DIODE RESISTIVE TO SURGE CURRENT WITH SOFT RECOVERY BEHAVIOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME	Baburske, Roman et al.	2011
12	A new diode structure with inverse injection dependency of emitter efficiency (IDEE)	Baburske, Roman et al.	2010
13	The Trade-Off between Surge-Current Capability and Reverse-Recovery Behaviour of High-Voltage Power Diodes	Baburske, Roman et al.	2010
14	Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement	Siemieniec, Ralf et al.	2006

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