Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Niedernostheide, Franz-Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies AG
Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements mit einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone und Leistungsbauelement
Method for Manufacturing of a power device with buried n-doped layer and power device
Kurzfassung
Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements, das zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone (21) des Leistungsbauelements in einem Halbleiterkörper (100) folgende Verfahrensschritte aufweist: – Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100) über eine Seite (101) mit nicht-dotierenden Teilchen mit einer Implantationsenergie zwischen 0,15 MeV und 20 MeV zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich, wobei die nicht-dotierenden Teilchen Heliumionen sind. – Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380°C und 500°C zur Erzeugung thermischer Doppeldonatoren in dem zu dotierenden Bereich.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102004039208B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 16.01.2014 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 21/265 |
