Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Baburske, Roman ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Siemieniec, Ralf
Infineon Technologies Austria AG
Bipolares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode
Bipolar Semiconductor Device and Method for production of a Semiconductor Diode
Kurzfassung
Bipolares Halbleiterbauelement (100), aufweisend: – einen Halbleiterkörper (20) mit einer ersten horizontalen Oberfläche (15), einer zur ersten Oberfläche (15) parallel verlaufenden zweiten Oberfläche (16) und mindestens einem Last-pn-Übergang (11), wobei eine Sperrichtung des Last-pn-Übergangs mit einer Sperrichtung des bipolaren Halbleiterbauelements (100) übereinstimmt; – eine auf der ersten Oberfläche (15) angeordnete erste Metallisierung (8), welche eine Anodenmetallisierung (8) bildet; – eine auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnete zweite Metallisierung (9), welche eine Kathodenmetallisierung (9) bildet; und – eine Anodenstruktur mit mindestens einem ohmschen Strompfad von der ersten Metallisierung (8) zur zweiten Metallisierung (9), der im Halbleiterkörper (20) nur durch n-dotierte Gebiete verläuft, wobei das bipolare Halbleiterbauelement einen dynamischen Anodenemitterwirkungsgrad aufweist.
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102009047808B4 | |
Veröffentlichungsdatum | 25.01.2018 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L 29/861 |