Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Rupp, Roland ;
Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technologies AG
Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements mit breitem Bandabstand
Wide bandgap semiconductor device and method for production of a wide bandgap semiconductor device
Kurzfassung
Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand umfasst eine erste Dotierungsregion eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Dotierungsregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Ein Driftabschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine erste durchschnittliche Nettodotierungskonzentration niedriger als 1e17 cmauf. Ein hoch dotierter Abschnitt der zweiten Dotierungsregion weist eine zweite durchschnittliche Nettodotierungskonzentration höher als 5e18 cmauf. Ein Kompensationsabschnitt der zweiten Dotierungsregion ist zwischen dem Driftabschnitt und dem hoch dotierten Abschnitt angeordnet. Der Kompensationsabschnitt erstreckt sich von einem ersten Bereich mit einer Nettodotierungskonzentration höher als 1e16 cmund niedriger als 1e17 cmzu einem zweiten Bereich, mit einer Nettodotierungskonzentration höher als 5e18 cm, und ein maximaler Gradient der Nettodotierungskonzentration innerhalb zumindest einem Teil des Kompensationsabschnitts, der sich von dem zweiten Bereich in Richtung des ersten Bereichs für zumindest 100 nm erstreckt, ist niedriger als 5e22 cm.
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Professur Leistungselektronik | |
Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
Veröffentlichungsnummer: | DE102017131354A1 | |
Veröffentlichungsdatum | 27.06.2019 | |
Internationale Patentklassifikation | H01L 29/78 |