Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Pertermann, Eric
Infineon Technologies AG
Leistungshalbleitervorrichtung mit verbesserter Stabilität und Verfahren zur Herstellung derselben
Power semiconductor with improved stability and method for it's production
Kurzfassung
Leistungshalbleitervorrichtung, umfassend ....- eine stark p-dotierte Zone und eine benachbarte, stark n-dotierte Zone, welche gemeinsam eine Tunneldiode ausbilden, wobei die Tunneldiode wie folgt angeordnet ist: in der Nähe der, oder angrenzend an die, oder innerhalb der Feldstoppschicht, wobei die Tunneldiode dazu angepasst ist, um Schutz vor Schäden an der Vorrichtung aufgrund eines Anstiegs eines Elektronenflusses in einem anormalen Betriebszustand durch die schnelle Bereitstellung von Löchern bereitzustellen.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102014118664B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 13.02.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/739 |
