Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Schulze, Hans-Joachim ;
Lutz, Josef
Infineon Technologies AG
Leistungsschaltmodule mit verringerter Oszillation und Verfahren zur Herstellung eines Leistungsschaltmoduls
Power switching module with reduced oscillations and method for production of it
Kurzfassung
Leistungsschaltmodul, aufweisend:ein Leistungshalbleiterbauelement (101a, 101b) mit drei Anschlüssen, das für einen Nennstrom ausgelegt ist; undeine Freilaufeinheit (108a, 108b), aufweisend eine pn-Diode (103a, 103b), die in ein erstes Halbleitermaterial (210a) mit einer ersten Bandlücke integriert ist, und eine Schottky-Diode (104a, 104b), die in ein zweites Halbleitermaterial (210b) mit einer zweiten Bandlücke integriert ist, wobei die zweite Bandlücke größer ist als die erste Bandlücke; wobei die Schottky-Diode (104a, 104b) elektrisch parallel mit der pn-Diode (103a, 103b) verbunden ist, undwobei die pn-Diode (103a, 103b) betreibbar ist, um einen Spitzenrückstrom beim Nennstrom des Leistungshalbleiterbauelements (101a, 101b) zu tragen, der vom 0,5-fachen bis 1,8-fachen einer kapazitiven Stromspitze der Schottky-Diode (104a, 104b) reicht.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102014103325B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 09.07.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 27/06 |
