Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Basler, Thomas ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Stegner, Andre Rainer
Infineon Technologies AG
Siliziumkarbid-Bauelemente und Verfahren zum Bilden von Siliziumkarbid-Bauelementen
SiC Devices and Method to form SiC Devices
Kurzfassung
Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst eine Transistorzelle mit einer Vorderseiten-Dotierungsregion, einer Body-Region und einer Drift-Region. Die Body-Region umfasst einen ersten Abschnitt, der eine erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist, und einen zweiten Abschnitt, der eine zweite durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt weisen eine Erstreckung von zumindest 50 nm in eine vertikale Richtung auf. Die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest das Zweifache der zweiten durchschnittlichen Netto-Dotierungskonzentration, und die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest 1·10^17 cm.^-3
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102018123210B3 | |
| Veröffentlichungsdatum | 27.02.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/78 |
