Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Bhojani, Riteshkumar ;
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Baburske, Roman ;
Niedernostheide, Franz-Josef
Infineon Technologies AG
TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER STROMFESTIGKEIT
Transistor device with high current stability
Kurzfassung
Transistorbauelement, das aufweist: ...wobei die zumindest eine Booststruktur ein Basisgebiet vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet getrenntesHilfsemittergebiet vom zweiten Dotierungstyp aufweist, und wobei eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet
und dem Feldstoppgebiet in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements höher ist als eine Durchbruchsladung des Halbleitermaterials des Driftgebiets und des Feldstoppgebiets.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102016115801B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 29.10.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/739 |
