Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Voss, Stephan ;
Basler, Thomas ;
Kimmer,Thomas ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Baburske, Roman
Infineon Technologies Austria AG
HALBLEITERVORRICHTUNG MIT EINER KLEMMSTRUKTUR
Semiconductor device with a clamping structure
Kurzfassung
Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (101), der eine Klemmstruktur (102) umfasst, die eine pn-Übergangsdiode (103) und eine Schottky-Übergangsdiode (104) aufweist, die antiseriell zwischen einem ersten Kontakt (C11, C12) und einem zweiten Kontakt (C21, C22) verbunden sind, wobei eine Durchbruchspannung (V) der pn-Übergangsdiode (103) größer ist als 100 V und eine Durchbruchspannung (V) der Schottky-Übergangsdiode größer ist als 10 V; und weiterhin umfassendeinen Leistungstransistor (110), der erste und zweite Lastanschlüsse (L1, L2) und einen Steueranschluss (C) aufweist, wobei die Klemmstruktur (102) elektrisch zwischen dem Steueranschluss (C) und dem zweiten Lastanschluss (L2) verbunden ist, der zweite Lastanschluss (L2) ein Drainkontakt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate, ein Kollektorkontakt eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate oder ein Kollektorkontakt eines bipolaren Übergangstransistors ist, der Steueranschluss (C) ein entsprechender Kontakt eines Gates eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate, eines Gates eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate oder einer Basis eines bipolaren Übergangstransistors ist.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102015111479B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 24.09.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 23/62 |
