Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Basler, Thomas ;
Leendertz, Caspar ;
Schulze, Hans-Joachim
Infineon Technologies AG
GRABENSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Semicondctor device containing a trench structure and method for production
Kurzfassung
Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (102), der ein Sourcegebiet (104) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Bodygebiet (106) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Eine Grabenstruktur (108) erstreckt sich entlang einer vertikalen Richtung (y) von einer ersten Oberfläche (110) in den Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (102). Die Grabenstruktur (108) weist eine Gateelektrode (1081) und ein Gatedielektrikum (1082) auf. Ein Kontakt (112) ist mit dem Sourcegebiet (104) an der ersten Oberfläche (110) elektrisch verbunden. Das Sourcegebiet (104) weist ein erstes Sourceteilgebiet (1041), das in einem Sourcekontaktbereich (113) der ersten Oberfläche (110) direkt an den Kontakt (112) grenzt, ein zweites Sourceteilgebiet (1042) und ein drittes Sourceteilgebiet (1043) auf. Das zweite Sourceteilgebiet (1042) ist entlang der vertikalen Richtung (y) zwischen dem ersten Sourceteilgebiet (1041) und dem dritten Sourceteilgebiet (1043) angeordnet. Ein Dotierkonzentrationsprofil (c) entlang der vertikalen Richtung (y) des Sourcegebiets (104) enthält ein Dotierkonzentrationsminimum im zweiten Sourceteilgebiet (1042) und ein Dotierkonzentrationsmaximum im dritten Sourceteilgebiet (1043). Jedes Teilgebiet aus dem zweiten Sourceteilgebiet (1042) und dem dritten Sourceteilgebiet (1043) überlappt mit dem Sourcekontaktbereich (113).
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102019105812A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 10.09.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/78 |
