Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Boldyrjew-Mast, Roman* ; Herrmann, Clemens ; Liu, Xing ; Li, Xupeng ; Basler, Thomas
Influence of the Gate Switching Instability Induced Threshold Voltage Drift on the Hard Switching Behavior of 1.2 kV SiC MOSFETs
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 979-8-3315-0477-9 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-0478-6 ; Electronic ISSN: 1938-1891 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1541-7026 | |
| DOI: | doi:10.1109/irps48204.2025.10983112 | |
| Quelle: | 2025 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Monterey, CA, USA, 2025, pp. 01-08. - IEEE, 2025 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | gate switching instability , semiconductor power devices , SiC MOSFETs , switching losses , threshold voltage drift |
