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Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Boldyrjew-Mast, Roman* ; Heimler, Patrick ; Liu, Xing ; Reiter, Kristiane ; Schwabe, Christian ; Thönelt, Nick ; Lutz, Josef ; Basler, Thomas

Study of the Bias Driven Threshold Voltage Drift of 1.2 kV SiC MOSFETs in Power Cycling and High Temperature Gate Bias Tests


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Artikel in Fachzeitschrift, referiert
ISBN/ISSN: ISSN print 1012-0394 ; ISSN cd 1662-9787 ; ISSN web 1662-9779
DOI: doi:10.4028/p-s5n0pk
Quelle: In: Solid State Phenomena. - Trans Tech Publications, Ltd. - 361. 2024, S. 13 - 20
Freie Schlagwörter (Englisch): Bias-Temperature Instability , High Temperature Gate Bias , Power Cycling Test , Threshold Voltage , SiC MOSFETs
OA-Lizenz CC BY 4.0

 

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