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1 Elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Transistor mit breiter Bandlücke umfasst, und eine elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Junction-Feldeffekttransistor umfasst, der einen Halbleiterbereich aus Siliziumcarbid umfasst Basler, Thomas et al. 2020
2 Siliziumkarbid-Bauelement und Verfahren zum Bilden eines Siliziumkarbid-Bauelements Fuergut, Edward et al. 2020
3 Wide bandgap semiconductor device and a method for forming a wide bamdgap semiconductor device Lutz, Josef et al. 2020
4 Ein Halbleiterbauelement mit breitem Bandabstand und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements mit breitem Bandabstand Lutz, Josef et al. 2019
5 Reliability and Ruggedness of SiC Trench MOSFETs for Long-Term Applications in Humid Environment Voss, Ingo* et al. 2018
6 Reliability evaluation Lutz, Josef et al. 2018
7 Repetitive surge current test of SiC MPS diode with load in bipolar regime Palanisamy, Shanmuganathan et al. 2018
8 Avalanche Robustness of SiC MPS Diodes Basler, Thomas* et al. 2016
9 Various structures of 1200V SiC MPS diode models and their simulated surge current behavior in comparison to measurement Palanisamy, Shanmuganathan et al. 2016
10 Electro-Thermal Simulations and Experimental Results on the Surge Current Capability of 1200 V SiC MPS Diodes Fichtner, Susanne et al. 2014
11 Investigation of Surge Current Capability of SiC MPS Diodes Neumeister, Matthias et al. 2008
12 Surge Current Ruggedness of Silicon Carbide Schottky- and Merged-PiN-Schottky Diodes Heinze, Birk et al. 2008
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