Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Fuergut, Edward ;
Hilsenbeck, Jochen ;
Gruber, Martin ;
Scholz, Wolfgang ;
Basler, Thomas ;
Joshi, Ravi Keshav ;
Peters, Dethard ;
Rupp, Roland ;
Siemieniec, Ral
Infineon Techoloogies AG
Siliziumkarbid-Bauelement und Verfahren zum Bilden eines Siliziumkarbid-Bauelements
SiC devie and method to form a SiC device
Kurzfassung
Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumkarbid-Substrat, eine Kontaktschicht, die Nickel, Silizium und Aluminium umfasst, eine Barriereschichtstruktur, die Titan und Wolfram umfasst, eine Metallisierungsschicht, die Kupfer umfasst. Die Kontaktschicht befindet sich auf dem Siliziumkarbid-Substrat. Die Kontaktschichtbefindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und zumindest einem Teil der Barriereschichtstruktur. Die Barriereschichtstruktur befindet sich zwischen dem Siliziumkarbid-Substrat und der Metallisierungsschicht.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102019115583A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 23.01.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/43 |
