Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Basler, Thomas ;
Laven, Johannes Georg ;
Baburske, Roman ;
Domes, Daniel ;
Rupp, Roland
Infineon Technologies AG
Elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Transistor mit breiter Bandlücke umfasst, und eine elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Junction-Feldeffekttransistor umfasst, der einen Halbleiterbereich aus Siliziumcarbid umfasst
Electronic Circuit containing a bipolar switch and a self-conducting transistor with wide Bandgap, and a electronic circuit including a bipolar switch and a self-conducting transistor which includes a semiconductor area of SiC
Kurzfassung
Elektrische Baugruppe, umfassend:eine bipolare Schaltvorrichtung (510); undeine Transistorschaltung (560), die mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden ist und einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke umfasst.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102016110035B4 | |
| Veröffentlichungsdatum | 10.09.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 23/58 |
