Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Boldyrjew-Mast, Roman* ; Thiele, Sven ; Schöttler, Nora ; Basler, Thomas ; Lutz, Josef
Gate Oxide Reliability of 1.2 kV and 6.5 kV SiC MOSFETs under Stair-Shaped Increase of Positive and Negative Gate Bias
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | 9784886864222 ; 9781728189857 ; 1946-0201 ; 1063-6854 | |
| DOI: | doi:10.23919/ISPSD50666.2021.9452301 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9452301 | |
| Quelle: | 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 30.05 - 03.06.2021, Nagoya (Japan), 243-246. - IEEE, 2021 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | gate oxide reliability , silicon carbide , SiC MOSFETs , threshold voltage drift , bias temperature instability |
