Ergebnis der Datenbankabfrage
Nr. | Titel | Autor | Jahr |
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1 | Gate Oxide Reliability of 1.2 kV and 6.5 kV SiC MOSFETs under Stair-Shaped Increase of Positive and Negative Gate Bias | Boldyrjew-Mast, Roman* et al. | 2021 |
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