Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Hein, Lukas* ; Goller, Maximilian ; Li, Gengqi ; Lößner, Marius ; Lutz, Josef ; Basler, Thomas
Investigation on the High Temperature Behaviour of p-GaN HEMTs by Different Temperature Sensitive Electrical Parameters
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Artikel in Fachzeitschrift, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Online ISSN: 2772-3704 | |
| DOI: | doi:10.1016/j.pedc.2025.100103 | |
| URL/URN: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2772370425000288 | |
| Quelle: | In: Power Electronic Devices and Components. - Elsevier BV. 2025, 100103 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Reliability , GaN GIT , GaN HEMT with ohmic p-GaN Gate , TSEPs , Power Cycling Test , High temperature application | |
| OA-Lizenz | CC BY 4.0 |
