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Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Goller, Maximilian* ; Mysore, Madhu Lakshman* ; Yang, Dezhi* ; Alaluss, Mohamed* ; Lutz, Josef* ; Basler, Thomas*

Surge Current Operation of Power GaN HEMTs with p-GaN Gate Under Positive Gate Voltage


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Konferenzbeitrag, referiert
ISBN/ISSN: Electronic ISBN: 978-4-88686-441-3 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-4126-2 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854
DOI: doi:10.23919/ispsd62843.2025.11118202
URL/URN: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=11118202
Quelle: 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 01-05 June 2025, Kumamoto, Japan. - IEEE, 2025
Freie Schlagwörter (Englisch): GaN , p-GaN Gate , surge current , TCAD simulatio

 

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