Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Mysore, Madhu Lakshman ; Chavda, Rahul-Vijaybhai ; Goller, Maximillian ; Heimler, Patrick ; Basler, Thomas
Influence of Interface Traps and Cell Design on Dynamic VSD Behaviour in Double-Trench SiC MOSFETs
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 979-8-3315-7783-4 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-7784-1 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854 | |
| DOI: | doi:10.1109/ISPSD64561.2026.11553937 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11553937 | |
| Quelle: | 2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 24-28 May, Las Vegas, NV, USA, pp. 489-492. - IEEE, 2026 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Dynamic VSD, VSD(T) method , Double trench-gate , Power Cycling Test , Body effect , Interface traps , TCAD |
