Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Hartmann, Martin* ; Tittmann-Otto, Jana ; Böttger, Simon ; Heldt, Georg ; Claus, Martin ; Schulz, Stefan E. ; Schröter, Michael ; Hermann, Sascha
Gate Spacer Investigation zur Verbesserung der Geschwindigkeit von hochfrequenten Kohlenstoff-Nanoröhren-basierten Feldeffekttransistoren
Gate Spacer Investigation for Improving the Speed of High-Frequency Carbon Nanotube-Based Field-Effect Transistors
Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
Institut: | Zentrum für Mikrotechnologien (ZfM) | |
Dokumentart: | Artikel in Fachzeitschrift, referiert | |
ISBN/ISSN: | Print Edition ISSN: 1944-8244 ; Web Edition ISSN: 1944-8252 | |
DOI: | doi:10.1021/acsami.0c01171 | |
URL/URN: | https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.0c01171 | |
Quelle: | In: ACS Applied Materials and Interfaces. - American Chemical Society. - 12. 2020, 24, S. 27461 - 27466 | |
Freie Schlagwörter (Deutsch): | Kohlenstoff-Nanoröhren-basierte Feldeffekt-Transistoren , Hochfrequenz-Gate-Spacer , asymmetrische FET , elektrostatische Steuerung | |
Freie Schlagwörter (Englisch): | carbon nanotube-based field-effect transistor , high frequency , gate spacer , buried gate , asymmetric FET , electrostatic control , Schottky barrier | |
Bemerkung: |
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