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Universitätsbibliographie

Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Palanisamy, Shanmuganathan ; Lutz, Josef ; Basler, Thomas ; Boldyrjew-Mast, Roman

Thermomechanical behaviour of inverse diode in SiC MOSFETs under surge current stress


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Konferenzbeitrag, referiert
ISBN/ISSN: 978-1-7281-3199-3
Quelle: International Reliability Physics Symposium (IRPS), 3 days, Dallas, Texas- Converted to online conference, 1-6, 2020
Freie Schlagwörter (Englisch): 4H-SiC , SiC MOSFET , inverse diode , surge current ruggedness , thermomechanical failure , aluminium modification , HTRB , HTGB , bipolar degradation

 

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