Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Li, Gengqi* ; Goller, Maximilian* ; Lutz, Josef* ; Basler, Thomas*
Investigation of Gate Driving Condition on p-GaN HEMTs under Single Event Short Circuit Type I
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Förderung: | Industrie/Wirtschaft | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 979-8-3315-5734-8 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-5735-5 | |
| DOI: | doi:10.1109/isps65707.2025.11189935 | |
| Quelle: | 17th INTERNATIONAL SEMINAR ON POWER SEMICONDUCTORS, 2025, Prag, 27 to 29 August. - IEEE, 2025 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | GaN HEMT , Short Circuit Type 1 |
