Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Boldyrjew-Mast, Roman* ; Thiele, Sven ; Basler, Thomas
Gate Oxide Reliability of Current Generation 1.2 kV SiC MOSFETs under Step-Wise Increased Gate Voltage
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Förderung: | Industrie/Wirtschaft | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Print ISBN: 978-3-8007-6262-0 | |
| DOI: | doi:10.30420/566262088 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10654207/authors#authors | |
| Quelle: | PCIM Europe 2024; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, 11-13 June 2024, Nürnberg, Germany, pp. 723–730. - VDE, 2024 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | SiC MOSFETs , Gate Oxide Reliability , Step-Wise Increased Gate Stress , Time Depend Dielectric Breakdown , Threshold Voltage |
