Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Leendertz, Caspar ;
Zippelius, Bernd ;
Basler, Thomas ;
Peters, Dethard ;
Niu, Shiqin ;
Hell, Michael ;
Ellinghaus, Paul ;
Konrath, Jens Peter ;
Schraml, Konrad ;
Elpelt, Rudolf
Infineon Technologies AG
SILIZIUMCARBID-VORRICHTUNG MIT GRABEN-GATE
Silicon Carbide Device with trench gate
Kurzfassung
Zusammenfassung: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung(500) enthält eine streifenförmige Graben-Gatestruktur(150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einenSiliziumcarbid-Körper (100) erstreckt. Die Gatestruktur (150)weist eine Gatelänge (L0) entlang einer lateralen erstenRichtung (291) auf. Eine Bodenfläche (158) und eine aktive erste Gate-Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) sind über eine erste Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) verbunden. Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält fer-ner zumindest ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Abschirmgebiet (160) eines zweiten Leitfähig-keitstyps ist über zumindest 20 % der Gatelänge mit der ers-ten Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) in Kontakt
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102019121859B3 | |
| Veröffentlichungsdatum | 26.11.2020 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 29/78 |
