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Nr. Titel Autor Jahr
1 Untersuchung von tiefen Störstellen in SiC-Schottky-Dioden mit frequenzabhängiger Admittanzspektroskopie Pertermann, Eric et al. 2015
2 Detection of Deep Energy Levels in Semiconductors Using Frequency-Resolved Impedance Spectroscopy Pertermann, Eric et al. 2014
3 Optimization of the Selenium Field-Stop Profile with Respect to Softness and Robustness Pertermann, Eric et al. 2014
4 Switching ruggedness and surge-current capability of diodes using the self-adjusting p emitter efficiency diode concept Basler, Thomas et al. 2014
5 Measurements and Simulations of the Turn-Off Behaviour of Diodes with Deep Energy Levels of Se implanted in Si Pertermann, Eric et al. 2013
6 The Effect of Selenium Deep Energy Levels in Si on the Turn-Off Behaviour of Diodes Pertermann, Eric et al. 2012
7 Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik Felsl, Hans Peter (Diplom-Physiker) 2009
8 Analysis of a p+p-n-n+ diode structure Chen, Min et al. 2008
9 Ruggedness Analysis of 3.3kV High Voltage Diodes considering various Buffer Structures and Edge Terminations Heinze, Birk et al. 2008
10 The CIBH Diode : Great Improvement for Ruggedness and Softness of High Voltage Diodes Felsl, Hans Peter et al. 2008
11 A diode structure with anode side buried p doped layers for damping of dynamic avalanche Chen, Min et al. 2007
12 Ruggedness of high voltage diodes under very hard Commutation Conditons Heinze, Birk et al. 2007
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