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Universitätsbibliographie

Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Böhm, Benny
Leistner, Karin (Prof. Dr.) ; Hellwig, Olav (Prof. Dr.) (Gutachter)

Tailoring the interlayer exchange-dominated magnetic reversal in synthetic antiferromagnet with perpendicular magnetic anisotropy


Kurzfassung in deutsch

In dieser Dissertation wird die gute Einstellbarkeit von synthetischen Antiferromagneten mit dem kollektiven Surface Spin-Flop-Verhalten kombiniert. Es wird der Einfluss der Gesamtschichtdicke untersucht, welche mit dem Abstand der magnetische Oberflächen korreliert. Zudem werden die Dicken der ferromagnetischen Untereinheiten an den Außenseiten verändert, womit die Beiträge der Oberflächen unterdrückt oder verstärkt werden können. Darauffolgend wird die Kontrolle der Oberflächenbeiträge angewendet, um Exchange Bias-Strukturen auf Basis synthetischer Antiferromagnete zu erzeugen. Da
diese nicht aus Heterostrukturen intrinsischer Antiferromagnete und Ferromagnete bestehen, wird nicht nur eine gute Abstimmbarkeit erreicht, sondern auch die Materialwahl wird potentiell vereinfacht. Zudem kann der Exchange Bias in synthetischen Antiferromagneten vollständig bei Raumtemperatur beobachtet und gesteuert werden. Im Weiteren wird ein zuvor untersuchtes Konzept zur Stabilisierung der vom Surface Spin-Flop erzeugten vertikalen antiferromagnetischen Domänenwände erweitert. Es wird demonstriert, wie ein Paar koexistierender antiferromagnetischer Domänenwände in Abwesenheit äußerer Magnetfelder und bei tiefen Temperaturen stabil gehalten werden kann.
Damit können in Erweiterung der ursprünglichen Konzeptes nun acht anstatt sechs remanenter Zustände durch geeignete Magnetfeldroutinen eingestellt werden.

Kurzfassung in englisch

In this thesis, the high degree of tunability in the SAFs is combined with the collective surface spin-flop reversal. The influence of the total thickness and thus the distance of the magnetic surfaces is explored. Furthermore, the thickness of the ferromagnetic surface subunits is altered to selectively suppress or enhance the surface contribution. The control of the surface contribution is subsequently employed to create magnetic exchange
bias structures based on the synthetic antiferromagnets. If compared to conventional exchange bias systems in heterostructures of intrinsic antiferromagnetic and ferromagnetic materials, an exchange bias with full room temperature operation, high tunability and a potential much more flexible choice of materials becomes available. Additionally, a previously established concept to stabilize the vertical antiferromagnetic domain walls that originate from the surface spin-flop at remanence is extended to a coexisting pair of antiferromagnetic domain walls. At low temperatures, the coexisting vertical antiferromagnetic domain walls can be stabilized at remanence, too. Furthermore, the total number of different remanent states, which are accessible through different field routines, can be increased from six in the original concept to eight in the more sophisticated concept presented here.

Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Magnetische Funktionsmaterialien
Fakultät: Fakultät für Naturwissenschaften
Dokumentart: Dissertation
Betreuer: Hellwig, Olav (Prof. Dr.)
URL/URN: https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa2-848971
Quelle: 2023. - 229 S.
SWD-Schlagwörter: Antiferromagnetismus , Austauschkopplung , Magnetische Anisotropie , Mehrschichtsystem
Freie Schlagwörter (Deutsch): Antiferromagnetismus , antiferromagnetische Domänenwände , Bulk Spin-Flop , Exchange Bias , magnetische Multilagen , senkrechte magnetische Anisotropie , Spin-Flop , Surface Spin-Flop , synthetische Antiferromagnete , Zwischenlagen-Austauschkopplung
Freie Schlagwörter (Englisch): antiferromagnetism , antiferromagnetic domain walls , bulk spin-flop , exchange bias , interlayer exchange coupling , magnetic multilayers , perpendicular magnetic anisotropy , spin-flop , surface spin-flop , synthetic antiferromagnets
DDC-Sachgruppe: 500 ; 530 ; 538
Sprache: englisch
Tag der mündlichen Prüfung 02.03.2023
OA-Lizenz CC BY 4.0

 

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