Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Hu, Xiao
Schulz, Stefan E. (Prof. Dr.); Bartha, Johann W. (Prof. Dr.); Elliott, Simon D. (Dr.)
Multiscale Simulation of Metallic Copper and Copper Oxide Atomic Layer Deposition from Cu Beta-diketonates
Multiskalensimulation der Atomlagenabscheidung von metallischem Kupfer und Kupferoxid aus Cu Beta-Diketonate
Kurzfassung in deutsch
Kupferleitbahnen werden in höchstintegrierten Schaltkreisen aufgrund des niedrigen spezifischen Widerstands und der sehr guten Beständigkeit gegen Elektromigration verwenden. Aktuelle Verfahren zur Leitbahnherstellung erfordern dünne Cu Keimschichten vor der anschließenden Cu Füllung durch die elektrochemische Abscheidung (ECD). Dabei ist es entscheidend, dass diese Keimschichten konform und glatt in den Vias und Gräben abgeschieden werden können, so dass die ECD Cu-Filme frei von Hohlräumen sind. Mit der weiteren Skalierung wird die Atomlagenabscheidung (ALD) mit ihrer hohen Konformalität und der ausgezeichneten Dickensteuerung als die vielversprechendste Technik zur Herstellung der Cu Keimschichten betrachtet. Die vorliegende Dissertation ist der Multiskalensimulation der ALD von metallischem Kupfer und Kupferoxiden aus Cu-beta-Diketonat Präkursoren (nBu3P)2Cu(acac) und Cu(acac)2 gewidmet. Verschiedene Koreaktanden H, H2, H2O, O3 und feuchtes O2 werden hinsichtlich ihrer Anwendung für die ALD von metallischem Kupfer oder Kupferoxid untersucht. Die Mechanismen der Oberflächenreaktionen dieser Präkursoren sind noch weitgehend unbekannt, obwohl die Cu Beta-Diketonate in der ALD bereits breite Verwendung finden. Ab-initio-Rechnungen wurden durchgeführt, um die Eingangsdaten für die reaktive Molekulardynamiksimulation und die thermodynamische Modellierung zu erhalten, die sowohl auf molekularer wie auch auf makroskopischer Ebene durchgeführt wurden.
Kurzfassung in englisch
Copper (Cu) interconnects have been widely used to replace aluminum in ultra-large-scale integration due to low resistivity and superior resistance to electromigration. Current processes for the fabrication of interconnects require thin Cu seed layers before the subsequent Cu filling by electrochemical deposition (ECD). It is crucial that these seed layers are coated conformally and smoothly in vias and trenches, ensuring that the ECD Cu films are free of voids. With the continuous scaling down of device dimensions, atomic layer deposition (ALD) has been considered as the most promising technology for making the Cu seed layers, because of its excellent conformality and precise thickness control. This dissertation is dedicated to the multiscale simulation of Cu ALD using the Cu beta-diketonate precursors (nBu3P)2Cu(acac) and Cu(acac)2. Different co-reactants (H, H2, H2O, O3 and wet O2) were investigated with respect to their application for the ALD of metallic Cu and Cu oxides. While Cu beta-diketonates have been widely applied in ALD, the mechanistic details of the surface reactions are still largely unknown. Ab initio calculations were performed to obtain the input data for reactive molecular dynamics (RMD) simulations and thermodynamic modeling, which were realized at the molecular-scale and macroscale, respectively.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Zentrum für Mikrotechnologien (ZfM) | |
| Fakultät: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| Betreuer: | Schulz, Stefan E. (Prof. Dr.) | |
| ISBN/ISSN: | 978-3-96100-053-1 | |
| URL/URN: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa2-215390 | |
| Quelle: | 1. Auflage. - Chemnitz : Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz, 2018. - 197 S. | |
| SWD-Schlagwörter: | Atomlagenabscheidung , Oberflächenchemie | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Cu-beta-Diketonat , Stabilität und Reaktivität , Kupferkeimschicht , Leitbahn , Multiskalensimulation | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Atomic Layer Deposition , Surface chemistry , Cu beta-diketonates , Stability and reactivity , Cu seed layer , Interconnects , Multiscale simulation | |
| DDC-Sachgruppe: | Ingenieurwissenschaften, Physikalische Chemie | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 02.11.2017 |
