Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Nadimi, Ebrahim* ; Schreiber, Michael
The influence of lanthanum doping on the band alignment in Si/SiO2/HfO2 gate stack of nano-MOSFETs: A first principles investigation
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Theoretische Physik (-Theorie ungeordneter Systeme-) | |
| Dokumentart: | Artikel in Fachzeitschrift, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Print ISSN: 0370-1972 ; Online ISSN: 1521-3951 | |
| DOI: | doi:10.1002/pssb.201700147 | |
| Quelle: | In: Physica Status Solidi. B: Basic Research. - Weinheim : Wiley-VCH Verlag. - 254. 2017, 10, 1700147-1 - 7 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | density functional theory , high-k materials , lanthanum , MOSFET , oxygen vacancies , threshold voltage |
