Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Freitag, Hans ;
Zahn, Dietrich R. T. ;
Jakob, Alexander ;
Buschbeck, Roy ;
Lang, Heinrich
Freitag, Hans ; Technische Universität Chemnitz
Verfahren zum Herstellen von Silizium-basierenden er Verwendung von Silizium-enthaltenden Tinten
Manufacture of silicon-based layer involves applying silicon nanoparticles-containing suspension on substrate, applying silicon-based compound-precursor solution containing organohalosilane compound, and further applying silicon-based ink
Kurzfassung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen wenigstens einer Silizium-basierenden Schicht oder wenigstens einer Silizium-basierenden Struktur auf einem starren oder flexiblen Substrat, umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Substrates; Herstellen einer speziellen Silizium-basierenden Tinte; Aufbringen der Silizium-basierenden Tinte auf das Substrat unter gegenüber Atmosphärendruck vermindertem Druck oder in Inertatmosphäre, und Energieeintrag in die Schicht.
Kurzfassung in englisch
Silicon nanoparticles-containing suspension is applied on a substrate, and a silicon-based compound-precursor solution containing organohalosilane compound (I) is further applied on the substrate. The silicon-based ink is applied on substrate under atmospheric pressure or inert atmosphere, and energy is applied to obtain silicon-based layer. Silicon nanoparticles-containing suspension is applied on a substrate, and a silicon-based compound-precursor solution containing organohalosilane compound of formula: R'RSiX 2(I) is further applied on the substrate. The silicon-based ink is applied on substrate under atmospheric pressure or inert atmosphere, and energy is applied to obtain silicon-based layer. R,R' : H, chloro, bromo or organic residue, in which R and R' are not simultaneously same;and X : chloro or bromo.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut 1: | Professur Halbleiterphysik | |
| Institut 2: | Professur Anorganische Chemie | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102010037278A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 08.03.2012 | |
| Internationale Patentklassifikation | C23C 18/00 |
