Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Madel, Oliver
Häußler, Peter (Prof. Dr.) ; Solbrig, Heinrich (Prof. Dr.) ; Hensel, Friedrich (Prof. Dr.)
Atomare Struktur und elektrischer Widerstand amorpher Na-Sn-Legierungen
Kurzfassung in deutsch
Im Rahmen dieser Arbeit werden Untersuchungen der atomaren Struktur und des elektrischen Widerstands an in-situ hergestellten amorphen Na-Sn-Legierungen im Temperaturbereich 2K < T < 500K vorgestellt. Zur Herstellung der hochreaktiven duennen Schichten wird eine neu entwickelte Praeparationsmethode unter Reinstgasatmosphaere und Ultrahochvakuum benutzt. Die Messungen muessen im UHV durchgefuehrt werden. In amorphem Na-Sn gibt es zwei im Sinne von Hume-Rothery bzw. Peierls elektronisch stabilisierte Bereiche, die jeweils einer Phase zugeordnet werden koennen. In Phase I (0 <= x <= 50) koennen sich die Atome nur durch eine Erhoehung der Atomzahldichte, was einer Volumenverkleinerung entspricht, in die Friedelminima des Paarpotentials legen. Dazu gibt das Na sein aeusseres Elektron ab und verkleinert damit seinen Radius. Der zweite Peak im Strukturfaktor S(K) verschiebt hier parallel zum Durchmesser der Fermikugel und ist damit der elektronisch induzierte. Der Peak liegt sehr nahe beim Fermikugeldurchmesser. Dadurch ergeben sich starke Anomalien im elektronischen Transport, im mittleren Konzentrationsbereich macht das System sogar einen Metall-Isolator-Uebergang. In Phase II (60 <= x <= 73) liegen die Atome ohne Aenderung des Volumens in den Friedelminima. In der vorliegenden Arbeit wird davon ausgegangen, dass das Na eine Umgebung aufbaut bzw. findet, die der des reinen Na nahekommt. In Phase II ist der erste Peak in S(K) der elektronisch induzierte. Das System verhaelt sich hier aehnlich wie vergleichbare Edelmetall- Polyvalentelement-Legierungen, bei einer effektiven Valenz Z = 1.8e/a fallen der Peak und der Fermikugeldurchmesser exakt zusammen. In dieser Phase tritt aber in S(K) ein Prepeak bei kleinen Streuvektoren auf. In der elektronischen Zustandsdichte ergibt sich ein Pseudogap bei der Fermienergie und das Material wird ein schlechtes Metall. Im Ueberlappungsbereich (50 < x < 60) koexistieren beide Phasen nebeneinander. Dies wird durch ein in zwei Abstaende aufgespaltenes erstes Maximum in der Atomverteilungsfunktion deutlich. Die Atome besetzen durch ihre Umverteilung von der einen zur anderen Phase scheinbar auch die Positionen zwischen den Friedelminima.
| Universität: | TU Chemnitz | |
| Institut: | Professur Physik dünner Schichten | |
| Fakultät: | Fakultät für Naturwissenschaften | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| Betreuer: | Häußler, Peter (Prof. Dr.) | |
| URL/URN: | http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/1999/0003 | |
| SWD-Schlagwörter: | Ladungstransfer | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Strukturuntersuchung , Elektronenbeugung in Transmission , Na-Sn , Praeparation hochreaktiver Materialien , Elektronische Stabilisierung , Hume-Rothery-System , Peierls-System , Resonanzartige Wechselwirkung , Atomzahldichteanomalie , Zintl-Systeme , Prepeak , Metall-Isolator-Uebergang | |
| DDC-Sachgruppe: | Physik | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 19.01.1999 |
