Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Elektrischer Transport und allgemeine Charakterisierung der halbleitenden Silicide Beta-FeSi2 und MnSi1,73
Kurzfassung in deutsch
Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall-Effekt der halbleitenden SilicideBeta-FeSi2 und MnSi1,73 werden im Temperaturbereich zwischen 4,2 und 300 K
untersucht. In ergänzenden Untersuchungen werden strukturelle und optische
Eigenschaften dieser Materialien bestimmt.
Die Ergebnisse der Messungen an MnSi1,73 - Schichten werden im Rahmen der
Boltzmann-Gleichung in Relaxationszeitnäherung interpretiert. Die Temperatur-
abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit und der Hall-Beweglichkeit der
Mangansilicid-Schichten kann unter Einbeziehung der Ladungsträgerstreuung an
Korngrenzen und akustischen Phononen erklärt werden. In einer kritischen
Diskussion werden die Grenzen des verwendeten Transportmodells aufgezeigt.
Den Schwerpunkt der Untersuchungen an Beta-FeSi2 bildet die Analyse des
Hall-Koeffizienten in Abhängigkeit von der Temperatur und dem Magnetfeld.
Mit einem neuen dynamischen Meßverfahren werden umfassende Ergebnisse für den
Hall-Koeffizienten in dünnen Schichten und Einkristallen erhalten, die eine
herkömmliche Interpretation des Hall-Effekts in Beta-FeSi2 in Frage stellen.
Unter Einbeziehung eines wesentlichen Einflusses des anomalen Hall-Effekts in
die Interpretation, können die Eigenschaften des Hall-Effekts in Beta-FeSi2
verstanden werden.
| Universität: | TU Chemnitz | |
| Institut: | Professur Physik dünner Schichten | |
| Fakultät: | Fakultät für Naturwissenschaften | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| Betreuer: | Häußler, Peter (Prof. Dr.rer.nat.habil.) | |
| URL/URN: | http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/1996/0023 | |
| SWD-Schlagwörter: | Messtechnik , Boltzmann-Gleichung , Hall-Effekt | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | elektrische Transportmechanismen , anomaler Hall-Effekt , elektrische Leitfähigkeit , halbleitende Silicide , dünne Schichten | |
| DDC-Sachgruppe: | Physik | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 19.04.1996 |
