Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Volltext zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-172853
Wehrfritz, Peter
Seyller, Thomas (Prof. Dr.) ; Lemme, Max (Prof. Dr.) (Gutachter)
Herstellung und Charakterisierung von Feldeffekttransistoren mit epitaktischem Graphen
Kurzfassung in deutsch
Als Graphen bezeichnet man eine einzelne freistehende Lage des Schichtkristalls Graphit. Im Gegensatz zur mechanischen Isolation von Graphit bietet die Züchtung auf Siliziumkarbid eine Methode zur großflächigen Herstellung von Graphen. Aufgrund der besonderen physikalischen Eigenschaften werden für Graphen viele verschieden Einsatzmöglichkeiten in diversen Bereichen prognostiziert. Mit seiner hohen Ladungsträgerbeweglichkeit ist Graphen besonders als Kanalmaterial für Feldeffekttransistoren (FET) interessant. Allerdings muss hierfür unter anderem ein geeignetes FET-Isolatormaterial gefunden werden.In dieser Arbeit wird eine detaillierte, theoretische Beschreibung der Graphen-FETs vorgestellt, die es erlaubt die steuerspannungsabhängige Hall-Konstante zu berechnen. Mit der dadurch möglichen Analyse können wichtige Kenngrößen, wie z. B. die Grenzflächenzustandsdichte des Materialsystems bestimmt werden. Außerdem wurden zwei Methoden zur Isolatorabscheidung auf Graphen untersucht. Siliziumnitrid, welches mittels plasmaangeregter Gasphasenabscheidung aufgetragen wurde, zeichnet sich durch seine n-dotierende Eigenschaft aus. Damit ist es vor allem für quasi-freistehendes Graphen auf Siliziumkarbid interessant. Bei der zweiten Methode handelt es sich um einen atomaren Schichtabscheidungsprozess, der ohne eine Saatschicht auskommt. An beiden Graphen- Isolator-Kombinationen wurde die neue Charakterisierung mittels der Hall-Datenanalyse angewandt.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Experimentalphysik mit dem Schwerpunkt Technische Physik | |
| Fakultät: | Fakultät für Naturwissenschaften | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| Betreuer: | Seyller, Thomas (Prof. Dr.) | |
| URL/URN: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-172853 | |
| SWD-Schlagwörter: | Graphen , Dotierung | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | epitaktisches Graphen , Dotierung , Feldeffekt , Hall-Konstante , Siliziumnitrid , Aluminiumoxid | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | epitaxial graphene , doping , field effect , Hall coefficient , silicon nitride , aluminium oxide | |
| DDC-Sachgruppe: | Moderne Physik | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 01.07.2015 |
