Ergebnis der Datenbankabfrage
Nr. | Titel | Autor | Jahr |
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1 | A correlation study of layer growth rate, thickness uniformity, stoichiometry, and hydrogen impurity level in HfO2 thin films grown by ALD between 100°C and 350°C | Blaschke, D.* et al. | 2020 |
2 | Resistive switching in polycrystalline YMnO3 thin films | Bogusz, Agnieszka* et al. | 2014 |
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