Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Investigation of the Gate Voltage Overshoot of IGBTs Under Short Circuit Type II Condition
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Artikel in Fachzeitschrift, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Print ISSN: 0018-9383 ; Electronic ISSN: 1557-9646 | |
| DOI: | doi:10.1109/ted.2023.3247371 | |
| Quelle: | In: IEEE Transactions on Electron Devices. - Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). - 70. 2023, 4, S. 1763 - 1768 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Insulated gate bipolar transistor (IGBT) , Miller effect , short circuit , TCAD simulation |
