Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Boldyrjew-Mast, Roman* ; Bäumler, Christian ; Wenisch-Kober, Felix Bruno ; Liu, Xing ; Basler, Thomas
Impact of Degradation Mechanisms in Gate Stress Tests on the Hard-Switching Behavior of 1.2 kV SiC Power MOSFETs
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN:978-1-6654-2201-7 ; USB ISBN:978-1-6654-2200-0 ; Print on Demand(PoD) ISBN:978-1-6654-2202-4 | |
| DOI: | doi:10.1109/ispsd49238.2022.9813675 | |
| Quelle: | 2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 22.05 - 25.05.2022, Vancouver, BC, Canada, S. 229-232. - IEEE, 2022 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | gate oxide reliability , silicon carbide , SiC MOSFETs , threshold voltage drift , bias temperature instability switching behavior , input capacitance , reverse capacitance |
