Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
SiC-MOSFET: Hohe Zuverlässigkeit ist möglich, aber es gibt große Unterschiede
SiC-MOSFET: High reliability is possible, however, there are large differences
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Artikel in Fachzeitschrift, nicht referiert | |
| ISBN/ISSN: | 0341-5589 | |
| Quelle: | In: Elektronik Praxis. - Vogel Business Media. - 2017, 3, S. 34 - 35 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Gate Oxide , Power Cycling , Reliability |
