Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Thiele, Sven ; Oliveira, Joao ; Perrotin, Olivier ; Meuret, Regis ; Coccetti, Fabio ; Basler, Thomas
A Comprehensive Study on the Gate Switching Instability of 1.2 kV SiC MOSFETs Considering Application Relevant Conditions
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 979-8-3315-6752-1 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-6753-8 | |
| DOI: | doi:10.1109/ecce-europe62795.2025.11238794 | |
| Quelle: | Energy Conversion Congress & Expo Europe (ECCE Europe), 01-04 September 2025, Birmingham, United Kingdom . - IEEE, 2025 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Gate Switching Instability , SiC MOSFETs , Gate Oxide Reliability , REDR |
