Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Herrmann, Clemens ; He, Mengdi ; Alaluss, Mohamed ; Elpelt, Rudolf ; Wehrhahn-Kilian, Larissa ; Basler, Thomas
Dead Time Dependency of Bipolar Degradation in SiC MOSFETs
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 978-4-88686-441-3 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-4126-2 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854 | |
| DOI: | doi:10.23919/ispsd62843.2025.11118037 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11118037 | |
| Quelle: | 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Kumamoto, Japan, 2025, pp. 389-392. - IEEE, 2025 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Degradation , MOSFET , Silicon carbide , Stacking , Semiconductor diodes , Power semiconductor devices ,Plasmas , Bipolar Degradation , Dead Time , Body Diode , SiC MOSFET , Forward Recovery |
