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Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Heimler, Patrick* ; Müller, Johannes* ; Mysore, Madhu Lakshman* ; Gesell, Sören* ; Lutz, Josef* ; Basler, Thomas*

Influencing Factors on the Dynamic VSD Behaviour of different SiC-MOSFET Technologies used for Temperature Read-Out via VSD(T)-Method during the Power Cycling Test


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Konferenzbeitrag, referiert
URL/URN: https://hal.science/hal-05369191v1
Quelle: ESREF 2025 : 36th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2025, Université de Bordeaux, ADERA, Oct 2025, Bordeaux, France, 2025
Freie Schlagwörter (Englisch): SiC MOSFET , Power Cycling , Body Diode , Accurate Temperature Measurement , Dynamic VSD Behaviour

 

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