Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Alaluss, Mohamed ; Mysore, Madhu Lakshman ; Herrmann, Clemens ; Goel, Sudhanshu ; Elsayed, Ahmed ; Basler, Thomas
Plasma Behavior of SiC MOSFETs with Engineered Substrates During Reverse Recovery
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 978-4-88686-441-3 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3315-4126-2 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854 | |
| DOI: | doi:10.23919/ispsd62843.2025.11117512 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/11117512 | |
| Quelle: | 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 1-5 June 2025, Kumamoto, Japan, pp. 385-388. - IEEE, 2025 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | SiC MOSFET , SiC engineered substrate , body diode , reverse recovery , carrier lifetime , TCAD |
