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Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz


Goller, Maximilian ; Franke, Jörg ; Lentzsch, Tobias ; Lutz, Josef ; Basler, Thomas ; Mouhoubi, Samir ; Curatola, Gilberto

Determination of the Junction Temperature Under Load Current in GaN Power Devices with Schottky Gate Leakage Current as TSEP


Universität: Technische Universität Chemnitz
Institut: Professur Leistungselektronik
Dokumentart: Konferenzbeitrag, referiert
ISBN/ISSN: Electronic ISBN: 979-8-3503-9482-5 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3503-9483-2 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854
DOI: doi:10.1109/ispsd59661.2024.10579696
URL/URN: https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10579696
Quelle: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 02-06 June 2024, Bremen, Germany. - IEEE, 2024
Freie Schlagwörter (Englisch): GaN HEMT , TSEP , Schottky gate leakage , power cycling , online temperature monitoring

 

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