Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Herrmann, Clemens* ; Thiele, Sven ; Yang, Dezhi ; Basler, Thomas ; Neumeister, Matthias ; Pfeifer, Markus
An Accelerated Dynamic Gate Switching Stress Test Concept for SiC MOSFETs at High Drain Drain-Source Voltage (HV-GSS)
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Print ISBN: 978-3-8007-6262-0 | |
| DOI: | doi:10.30420/566262089 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10653908 | |
| Quelle: | International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management PCIM Europe, 11.06.-13.06.24, Nürnberg, pp. 731-738 | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Dynamischer Gatestress , Gateoxid Zuverlässigkeit , Hochspannung | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | dynamic gatestress , gate oxide reliability , high voltage |
