Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Thiele, Sven* ; Herrmann, Clemens ; Yang, Dezhi ; Neumeister, Matthias ; Basler, Thomas
Gate Switching Instability of SiC MOSFETs under Simultaneously High Drain-Source Voltage and High Frequency Acceleration
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | Electronic ISBN: 979-8-3503-9482-5 ; Print on Demand(PoD) ISBN: 979-8-3503-9483-2 ; Electronic ISSN: 1946-0201 ; Print on Demand(PoD) ISSN: 1063-6854 | |
| DOI: | doi:10.1109/ispsd59661.2024.10579621 | |
| URL/URN: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10579621 | |
| Quelle: | 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 02-06 June 2024, Bremen, Germany, 2024, pp. 136 - 139 | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | Gate Switching Instability , SiC MOSFETs , Gate Oxide Reliablity , Gate Switching Stress |
