Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Pertermann, Eric ;
Lutz, Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Felsl, Hans Peter ;
Niedernostheide, Franz-Josef ;
Voß, Stephan ;
Hüsken, Holger ;
Baburske, Roman
Benda, Vitezslav
The Effect of Selenium Deep Energy Levels in Si on the Turn-Off Behaviour of Diodes
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag, referiert | |
| ISBN/ISSN: | 978-80-01-05100-9 | |
| Quelle: | 11th International Seminar On Power Semiconductors, 29.-31.08.2012, Prag, S. 59-64. - Prag, 2012 | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Ausschaltverhalten , Hochspannungsdioden , Selen , tiefe Störstellen | |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | reverse recovery , high voltage diode , selenium , deep levels |
