Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Siemieniec, Ralf ;
Niedernostheide, Franz-Josef ;
Schulze, Hans-Joachim ;
Lutz, Josef
Infineon Technologies AG
Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | DE102004039208A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 23.02.2006 | |
| Internationale Patentklassifikation | H01L 21/265 |
