Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Geske, Martin ;
Jakob, Roland ;
Kowalsky, Jens ;
Lutz, Josef
GE ENERGY POWER CONVERSION TECHNOLOGY LTD, GB
GATESPANNUNGSÜBERSTEUERUNG FÜR DAS SCHALTEN VON STOSSSTRÖMEN IN IGBT SCHALTERN
GATE VOLTAGE OVERDRIVE FOR SHORT TERM PEAK CURRENT CONTROL OF IGBT SWITCHES
Kurzfassung
Es ist eine Einrichtung (2) zur bedarfsweisen Kommutierung eines elektrischen Stroms von einem ersten Leitungszweig (14, 3; 36) zu einem anderen, zweiten Leitungszweig (4; 41; 71) geschaffen, die mehrere Leistungshalbleiterschaltelemente (7; 47; 53), die in Reihe und/oder parallel zueinander in dem zweiten Leitungszweig (4; 41; 71) angeordnet sind, und eine Ansteuereinheit (18; 51) zur Ansteuerung der mehreren Leistungshalbleiterschaltelemente (7; 47; 53) aufweist. Die Ansteuereinheit (18; 51) ist dazu eingerichtet, an die mehreren Leistungshalbleiterschaltelemente (7; 47; 53) jeweils eine erhöhte Ansteuerungsspannung (V GE ) anzulegen, deren Höhe oberhalb der für den Dauerbetrieb spezifizierten maximal zulässigen Ansteuerungsspannung liegt, um die mehreren Leistungshalbleiterschaltelemente leitend zu schalten oder zu halten und einen erhöhten Stromfluss durch diese zu bewirken, dessen Stromstärke wenigstens dem doppelten Nennbetriebsstrom entspricht. Die Ansteuereinheit (18; 51) ist ferner dazu eingerichtet, die mehreren Leistungshalbleiterschaltelemente nach einer jeweils vorgesehenen kurzen Einschaltdauer durch Abschalten der Ansteuerungsspannung (V GE ) wieder auszuschalten, während sie einen erhöhten Stromfluss führen. Die Einrichtung (2) kann dadurch für eine höhere Leistung im Betrieb ausgelegt werden, oder bei einer gegebenen Betriebsleistung kann die Halbleiterfläche und Baugröße der Einrichtung (2) reduziert werden.
| Universität: | Technische Universität Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Dokumentart: | Patent (Offenlegungsschrift, Patentschrift, Gebrauchsmusterschrift) | |
| Veröffentlichungsnummer: | EP000003206286A1 | |
| Veröffentlichungsdatum | 16.08.2017 | |
| Internationale Patentklassifikation | H02M 1/32 |
