Eintrag in der Universitätsbibliographie der TU Chemnitz
Volltext zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:bsz:ch1-200902077
Felsl, Hans Peter (Diplom-Physiker)
Lutz, Josef (Prof. Dr.) ; Silber, Dieter (Prof. Dr.) ; Niedernostheide, Franz-Josef (Dr.) (Gutachter)
Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik
Kurzfassung in deutsch
Diese Arbeit befasst sich mit Hochleistungsdioden aus den Halbleitermaterialen Silizium und Siliziumkarbid. Analysiert werden die statischen und dynamischen Schalteigenschaften. Bei den SiC-Bauelementen handelt es sich um unipolare Schottky-Dioden und bei den Silizium-Dioden um bipolare pin-Dioden. Bei den SiC-Schottky-Dioden liegt der Schwerpunkt auf der Analyse des statischen Durchbruchverhaltens von Randstrukturen und auf der Untersuchung der Selbsterwärmung bei Einzel- und Mehrpulsbelastung. Bei den bipolaren Silizium-Dioden wird das Durchbruchverhalten bei niedrigen und hohen Stromdichten untersucht. Aus den Sperrcharakteristiken, die positiv und negativ differentielle Widerstandsäste aufweisen, lassen sich Schlussfolgerungen auf das dynamische Verhalten ziehen. Das Abschaltverhalten (reverse recovery) der mit Plasma überschwemmten Bauelemente wird zuerst im Hinblick auf den Einfluss von Strukturparametern untersucht, um die prinzipiellen Einflussgrößen zu erläutern. Dann folgen die Ergebnisse zur Filamentbildung, die bei den hohen Belastungen der Bauelemente während des Kommutierungsprozesses auftreten können. Die auftretenden Filamentstrukturen werden analysiert und - soweit möglich - Einflussgrößen herausgearbeitet. Schließlich wird noch auf den Einfluss von Randstrukturen auf das Filamentierungsverhalten, die als Inhomogenität in jedem Bauelement vorhanden sind, eingegangen.
| Universität: | TU Chemnitz | |
| Institut: | Professur Leistungselektronik | |
| Fakultät: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik | |
| Dokumentart: | Dissertation | |
| URL/URN: | http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2009/0207 | |
| SWD-Schlagwörter: | Diode , Leistungselektronik , Schaltverhalten , Schottky-Diode , Silicium , Siliciumcarbid | |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | Abschaltverhalten , Filamentierung , Kommutierungsverhalten , Reverse Recovery , Stromfilament , Stromfilamentierung , Wärmekapazität , Wärmeleitung , bipolar diode , current filament , electro-thermal behavior , elektrothermisches Verhalten , negativ differential resistance , negativ differentielle Sperrcharakteristik , nichtlineare Dynamik , non linear dynamics , pin Diode , pin diode , schottky diode , silicon carbide , silicon diode , unipolar diode | |
| DDC-Sachgruppe: | Ingenieurwissenschaften | |
| Tag der mündlichen Prüfung | 12.11.2009 |
